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em 24/01/2025

A Samsung Electronics melhora o design de memória semicondutores

A indústria de semicondutores sul -coreanos revelou recentemente que a Samsung Electronics está melhorando o design da memória de acesso aleatório de 12 nanômetros dinâmicos (DRAM) "D1B".


A Samsung Electronics produzirá em massa "D1B" pela primeira vez em 2023, que será aplicada à placa gráfica DRAM e DRAM de telefone celular.Essa mudança no design de DRAM, que está em produção há mais de um ano, é um caso raro na indústria de semicondutores.

Os profissionais dizem que mudar o design não é uma decisão fácil, pois mudanças nos processos de fabricação podem aumentar os custos.Isso significa que a empresa tem uma consciência urgente de melhorar os processos e produtos.

A Samsung Electronics vem modificando seu processo de produção com base no novo design "D1B", emitindo uma ordem de equipamento de emergência até o final de 2024, atualizando sua linha de produção existente e conduzindo a transferência de tecnologia.Considerando o progresso da construção de equipamentos e operação de teste, o novo "D1B" será produzido em massa dentro de um ano e deve ser lançado já no segundo ou terceiro trimestre.

Além de alterar o design "D1B", a Samsung Electronics também lançou um novo projeto de desenvolvimento chamado "D1B-P" para melhorar a competitividade do DRAM.
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