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- 16/06/2024
Informações ambientais
onsemi RoHS.pdfDesign/especificação PCN
Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022.pdf Marking Lay-out Implementation 15/Nov/2021.pdfMontagem/origem PCN
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| Quantidade | Preço Unitário | Preço Subtotal |
|---|---|---|
| 20+ | $0.024 | $0.48 |
| 200+ | $0.019 | $3.80 |
| 600+ | $0.017 | $10.20 |
| 3000+ | $0.014 | $42.00 |
| 9000+ | $0.013 | $117.00 |
| 21000+ | $0.012 | $252.00 |
Especificações técnicas FDN335N
onsemi - FDN335N Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao onsemi - FDN335N
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | onsemi | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±8V | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | SOT-23-3 | |
| Série | PowerTrench® | |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 70mOhm @ 1.7A, 4.5V | |
| Dissipação de energia (Max) | 500mW (Ta) | |
| Caixa / Gabinete | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 310 pF @ 10 V | |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 4.5 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica FET | - | |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 2.5V, 4.5V | |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20 V | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Ta) | |
| Número do produto base | FDN335 |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 compatível |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao onsemi FDN335N
| Atributo do Produto | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | FDN335N | FDN335N | FDN327N | FDN336P |
| Fabricante | UMW | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| Tipo de montagem | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | - | - | - | - |
| Dissipação de energia (Max) | - | - | - | - |
| Série | - | - | - | - |
| Pacote | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Tecnologia | - | - | - | - |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Número do produto base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Característica FET | - | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Temperatura de operação | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | - | - | - | - |
| Caixa / Gabinete | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Tipo FET | - | - | - | - |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | - | - | - | - |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
Faça o download do FDN335N PDF Datahets e onsemi Documentation para FDN335N - onsemi.
FDN335PKEFAN
FDN335NUMWSOT-23 MOSFETS ROHSSeu endereço de e -mail não será publicado.
| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |
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