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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleFQPF30N06
Fairchild Semiconductor
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.
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FQPF30N06 - Fairchild Semiconductor

Fabricante Modelo do Produto
FQPF30N06
Fabricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modelo do Produto
32D-FQPF30N06
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 60V 21A TO220F
Embalagem
TO-220-3 Full Pack
Ficha de dados
FQPF30N06.pdf
Estado de RoHS
ROHS3 compatível
Nossa certificação
Disponível: 61670

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Nossa certificação

Especificações

Especificações técnicas FQPF30N06
Fairchild Semiconductor - FQPF30N06 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Fairchild Semiconductor - FQPF30N06

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220F-3  
Série QFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 40mOhm @ 10.5A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 39W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-220-3 Full Pack  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 945 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)  

Classificações ambientais e de exportação

ATRIBUTO DESCRIçãO
Estado de RoHS ROHS3 compatível
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Status de alcance
ECCN EAR99
HTSUS

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Fairchild Semiconductor FQPF30N06

Atributo do Produto FQPF30N06 FQPF2NA90 FQPF2N90 FQPF33N10
Modelo do Produto FQPF30N06 FQPF2NA90 FQPF2N90 FQPF33N10
Fabricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Série QFET® QFET® QFET® QFET®
Característica FET - - - -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacote Tube Tube Tube Bulk
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 21A (Tc) 1.7A (Tc) 1.4A (Tc) 18A (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±25V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60 V 900 V 900 V 100 V
Caixa / Gabinete TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 945 pF @ 25 V 680 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 40mOhm @ 10.5A, 10V 5.8Ohm @ 850mA, 10V 7.2Ohm @ 700mA, 10V 52mOhm @ 9A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipação de energia (Max) 39W (Tc) 39W (Tc) 35W (Tc) 41W (Tc)

Comentários dos Clientes

Avaliação: 17 ARTIGOS

  • Enri***Guenther

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    Modelo de produto: Quantidade: 243 23/10/2024
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    Modelo de produto: Quantidade: 165 25/06/2024
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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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