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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFR220BTM
Fairchild Semiconductor
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.
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IRFR220BTM - Fairchild Semiconductor

Fabricante Modelo do Produto
IRFR220BTM
Fabricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFR220BTM
Modelo ECAD
Descrição das peças
N-CHANNEL POWER MOSFET
Embalagem
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de dados
IRFR220BTM.pdf
Nossa certificação
Disponível: 243720

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Especificações

Especificações técnicas IRFR220BTM
Fairchild Semiconductor - IRFR220BTM Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Fairchild Semiconductor - IRFR220BTM

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-252, (D-Pak)  
Série -  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 800mOhm @ 2.3A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta), 40W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacote Bulk  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 390 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 4.6A (Tc)  

Classificações ambientais e de exportação

ATRIBUTO DESCRIçãO
Estado de RoHS RoHS não compatível
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Fairchild Semiconductor IRFR220BTM

Atributo do Produto IRFR220BTM IRFR214TRPBF IRFR214TRRPBF IRFR220NTRPBF
Modelo do Produto IRFR220BTM IRFR214TRPBF IRFR214TRRPBF IRFR220NTRPBF
Fabricante Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 390 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Série - - - HEXFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 4.6A (Tc) 2.2A (Tc) 2.2A (Tc) 5A (Tc)
Pacote Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta), 40W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 43W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-252, (D-Pak) D-Pak D-Pak D-Pak
Característica FET - - - -
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200 V 250 V 250 V 200 V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
RDS ON (Max) @ Id, VGS 800mOhm @ 2.3A, 10V 2Ohm @ 1.3A, 10V 2Ohm @ 1.3A, 10V 600mOhm @ 2.9A, 10V

Comentários dos Clientes

Avaliação: 17 ARTIGOS

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
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Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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