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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIXFK52N30Q
IXYS
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.
OPçãO EXPRESSA
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IXFK52N30Q - IXYS

Fabricante Modelo do Produto
IXFK52N30Q
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Modelo do Produto
32D-IXFK52N30Q
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 300V 52A TO264AA
Embalagem
TO-264-3, TO-264AA
Ficha de dados
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
IXF(H,K,T)52N30Q.pdf
Nossa certificação
Disponível: 4960

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Especificações

Especificações técnicas IXFK52N30Q
IXYS - IXFK52N30Q Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao IXYS - IXFK52N30Q

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-264AA (IXFK)  
Série HiPerFET™  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 60mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipação de energia (Max) 360W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-264-3, TO-264AA  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 300 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 52A (Tc)  
Número do produto base IXFK52  

Classificações ambientais e de exportação

ATRIBUTO DESCRIçãO
Estado de RoHS
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de alcance
ECCN EAR99
HTSUS

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao IXYS IXFK52N30Q

Atributo do Produto IXFK52N30Q IXFK48N50 IXFK55N50 IXFK64N50P
Modelo do Produto IXFK52N30Q IXFK48N50 IXFK55N50 IXFK64N50P
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Característica FET - - - -
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 4V @ 8mA 4.5V @ 8mA 5.5V @ 8mA
Número do produto base IXFK52 IXFK48 IXFK55 IXFK64
RDS ON (Max) @ Id, VGS 60mOhm @ 500mA, 10V 100mOhm @ 24A, 10V 90mOhm @ 27.5A, 10V 85mOhm @ 32A, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 300 V 500 V 500 V 500 V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Caixa / Gabinete TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Série HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 52A (Tc) 48A (Tc) 55A (Tc) 64A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipação de energia (Max) 360W (Tc) 500W (Tc) 625W (Tc) 830W (Tc)
Pacote Tube Tube Tube Tube
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 8700 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IXFK52N30Q PDF da folha de dados

Faça o download do IXFK52N30Q PDF Datahets e IXYS Documentation para IXFK52N30Q - IXYS.

Desenhos 2D
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf IXF(H,K,T)52N30Q.pdf

Comentários dos Clientes

Avaliação: 17 ARTIGOS

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    Modelo de produto: Quantidade: 275 27/06/2024
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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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