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- 16/06/2024
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| Quantidade | Preço Unitário | Preço Subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $0.471 | $0.47 |
| 200+ | $0.189 | $37.80 |
| 500+ | $0.182 | $91.00 |
| 1000+ | $0.179 | $179.00 |
Especificações técnicas TT8U1TR
Rohm Semiconductor - TT8U1TR Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - TT8U1TR
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | LAPIS Technology | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | |
| Vgs (Max) | ±10V | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-TSST | |
| Série | - | |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 105mOhm @ 2.4A, 4.5V | |
| Dissipação de energia (Max) | 1.25W (Ta) | |
| Caixa / Gabinete | 8-SMD, Flat Lead | |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 10 V | |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7 nC @ 4.5 V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Característica FET | Schottky Diode (Isolated) | |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 1.5V, 4.5V | |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20 V | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Ta) | |
| Número do produto base | TT8U1 |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 compatível |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor TT8U1TR
| Atributo do Produto | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | TT8U1TR | TT8U2TR | TT8U2TCR | TT8U2/TR |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | LAPIS Technology |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7 nC @ 4.5 V | 6.7 nC @ 4.5 V | 6.7 nC @ 4.5 V | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 105mOhm @ 2.4A, 4.5V | 105mOhm @ 2.4A, 4.5V | 105mOhm @ 2.4A, 4.5V | - |
| Vgs (Max) | ±10V | ±10V | ±10V | - |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Ta) | 2.4A (Ta) | 2.4A (Ta) | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 10 V | 850 pF @ 10 V | 850 pF @ 10 V | - |
| Tipo FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | - |
| Número do produto base | TT8U1 | TT8U2 | TT8U2 | - |
| Característica FET | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-TSST | 8-TSST | 8-TSST | - |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Caixa / Gabinete | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | - |
| Dissipação de energia (Max) | 1.25W (Ta) | 1.25W (Ta) | 1.25W (Ta) | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | 1V @ 1mA | 1V @ 1mA | - |
| Pacote | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | - |
| Série | - | - | - | - |
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TT8JLDiodes IncorporatedMEDIUM/HIGH POWER BRIDGE TT T&R
TT8M-TDiodes IncorporatedMEDIUM/HIGH POWER BRIDGE TTL T&RSeu endereço de e -mail não será publicado.
| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |
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