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- 16/06/2024
Montagem/origem PCN
Mult Devices 25/May/2018.pdfFolhas de dados
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| Quantidade | Preço Unitário | Preço Subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $0.688 | $0.69 |
| 10+ | $0.617 | $6.17 |
| 30+ | $0.578 | $17.34 |
| 100+ | $0.535 | $53.50 |
| 500+ | $0.516 | $258.00 |
| 800+ | $0.506 | $404.80 |
Especificações técnicas IRF830STRLPBF
Vishay Siliconix - IRF830STRLPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Vishay Siliconix - IRF830STRLPBF
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | D²PAK (TO-263) | |
| Série | - | |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 1.5Ohm @ 2.7A, 10V | |
| Dissipação de energia (Max) | 74W (Tc) | |
| Caixa / Gabinete | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 610 pF @ 25 V | |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica FET | - | |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V | |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 500 V | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) | |
| Número do produto base | IRF830 |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 compatível |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Vishay Siliconix IRF830STRLPBF
| Atributo do Produto | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | IRF8327STR1PBF | IRF830STRL | IRF830SPBF | IRF830PBF-BE3 |
| Fabricante | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Tipo de montagem | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Característica FET | - | - | - | - |
| Série | - | - | - | - |
| Caixa / Gabinete | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Tecnologia | - | - | - | - |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | - | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | - | - | - | - |
| Número do produto base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Tipo FET | - | - | - | - |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | - | - | - | - |
| Temperatura de operação | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Pacote | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Dissipação de energia (Max) | - | - | - | - |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
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IRF8313IR
IRF831Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET
IRF830S MOSIR
IRF831PBFIR
IRF830S-TRLIR
IRF830PBF MOSElectro-Films (EFI) / Vishay
IRF8327STRPB/FIR
IRF8327STR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
IRF8327SPBFIR
IRF830S F830SIRSeu endereço de e -mail não será publicado.
| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |
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