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- 16/06/2024
Montagem/origem PCN
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| Quantidade | Preço Unitário | Preço Subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $0.742 | $0.74 |
| 10+ | $0.618 | $6.18 |
| 30+ | $0.55 | $16.50 |
| 100+ | $0.474 | $47.40 |
| 500+ | $0.44 | $220.00 |
| 1000+ | $0.424 | $424.00 |
Especificações técnicas SIS890DN-T1-GE3
Vishay Siliconix - SIS890DN-T1-GE3 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Vishay Siliconix - SIS890DN-T1-GE3
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | PowerPAK® 1212-8 | |
| Série | TrenchFET® | |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 23.5mOhm @ 10A, 10V | |
| Dissipação de energia (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | |
| Caixa / Gabinete | PowerPAK® 1212-8 | |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 802 pF @ 50 V | |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica FET | - | |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V | |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 100 V | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) | |
| Número do produto base | SIS890 |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 compatível |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Vishay Siliconix SIS890DN-T1-GE3
| Atributo do Produto | ||||
|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | SIS890ADN-T1-GE3 | SIS892DN-T1-GE3 | SIS892ADN-T1-GE3 | SIS862ADN-T1-GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Tipo FET | - | - | - | - |
| Temperatura de operação | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Caixa / Gabinete | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Característica FET | - | - | - | - |
| Número do produto base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Dissipação de energia (Max) | - | - | - | - |
| Tipo de montagem | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Tecnologia | - | - | - | - |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | - | - | - | - |
| Pacote | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| VGS (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | - | - | - | - |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | - | - | - | - |
| Série | - | - | - | - |
Faça o download do SIS890DN-T1-GE3 PDF Datahets e Vishay Siliconix Documentation para SIS890DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix.
SIS85C497SIS
SIS892ADNVishay
SIS890DN-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay
SIS903DN-T1-GE3Vishay
SIS85C496SIS
SIS85C497NUSIS
SIS9202SIS
SIS85C471SIS
SIS888DN-TIElectro-Films (EFI) / Vishay
SIS900A2CNSISSeu endereço de e -mail não será publicado.
| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |
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