- Jess***Jones
- 17/04/2026
Folhas de dados
AS2M040120P.pdfQuer um preço melhor?
Adicionar ao carrinho e Enviar RFQ Agora, entraremos em contato com você imediatamente.
| Quantidade | Preço Unitário | Preço Subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $8.741 | $8.74 |
| 10+ | $8.393 | $83.93 |
| 30+ | $7.789 | $233.67 |
| 90+ | $7.263 | $653.67 |
Especificações técnicas AS2M040120P
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED - AS2M040120P Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED - AS2M040120P
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA | |
| Vgs (Max) | +25V, -10V | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-247-3 | |
| Série | - | |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 55mOhm @ 40A, 20V | |
| Dissipação de energia (Max) | 330W (Tc) | |
| Caixa / Gabinete | TO-247-3 | |
| Pacote | Tube |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2946 pF @ 1000 V | |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 142 nC @ 20 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica FET | - | |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 20V | |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 1200 V | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 compatível |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2M040120P
| Atributo do Produto | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | AS2M040120P | AS2ATL5LBF3F4IO24 | AS2K017 | AS2N-5M-10-Z |
| Fabricante | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | Sensata-Airpax | AS | Nidec Components Corporation |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-247-3 | - | - | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 55mOhm @ 40A, 20V | - | - | - |
| Tipo de montagem | Through Hole | - | - | Through Hole, Right Angle |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | - | - | - |
| Caixa / Gabinete | TO-247-3 | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA | - | - | - |
| Tipo FET | N-Channel | - | - | - |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2946 pF @ 1000 V | - | - | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 20V | - | - | - |
| Vgs (Max) | +25V, -10V | - | - | - |
| Série | - | 22.5mm Metal | - | AS |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 142 nC @ 20 V | - | - | - |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) | - | - | - |
| Característica FET | - | - | - | - |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 1200 V | - | - | - |
| Pacote | Tube | Bulk | - | Tray |
| Dissipação de energia (Max) | 330W (Tc) | - | - | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | -20°C ~ 85°C |
Faça o download do AS2M040120P PDF Datahets e ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED Documentation para AS2M040120P - ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED.
AS2K017AS
AS2P-5M-10-ZNidec Components CorporationSWITCH DIP SLIDE
AS2K004N/A
AS2K006PTCSeu endereço de e -mail não será publicado.
| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |

Quer um preço melhor? Adicionar ao carrinho e Enviar RFQ Agora, entraremos em contato com você imediatamente.