- Jess***Jones
- 17/04/2026
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Infineon Technologies - IRF7457TR Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRF7457TR
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-SO | |
| Série | HEXFET® | |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 7mOhm @ 15A, 10V | |
| Dissipação de energia (Max) | 2.5W (Ta) | |
| Caixa / Gabinete | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 10 V | |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 4.5 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica FET | - | |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V | |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20 V | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta) |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | RoHS não compatível |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRF7457TR
| Atributo do Produto | ![]() |
|
|---|---|---|
| Modelo do Produto | IRF7457TR | GRM1885C2A9R6BA01D |
| Fabricante | Infineon Technologies | Murata Electronics |
| Tipo de montagem | Surface Mount | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V | - |
| Pacote | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 4.5 V | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-SO | - |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 10 V | - |
| Vgs (Max) | ±20V | - |
| Tipo FET | N-Channel | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 7mOhm @ 15A, 10V | - |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20 V | - |
| Dissipação de energia (Max) | 2.5W (Ta) | - |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta) | - |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| Característica FET | - | - |
| Série | HEXFET® | * |
| Caixa / Gabinete | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
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| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |
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