- Jess***Jones
- 17/04/2026
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| Quantidade | Preço Unitário | Preço Subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $2.434 | $2.43 |
| 200+ | $0.972 | $194.40 |
| 500+ | $0.94 | $470.00 |
| 1000+ | $0.923 | $923.00 |
Especificações técnicas DMG8N65SCT
Diodes Incorporated - DMG8N65SCT Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Diodes Incorporated - DMG8N65SCT
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220AB | |
| Série | Automotive, AEC-Q101 | |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 1.3Ohm @ 4A, 10V | |
| Dissipação de energia (Max) | 125W (Tc) | |
| Caixa / Gabinete | TO-220-3 | |
| Pacote | Tube |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1217 pF @ 25 V | |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica FET | - | |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V | |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 650 V | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) | |
| Número do produto base | DMG8N65 |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 compatível |
| Status de alcance | REACH Affected |
| ECCN | EAR99 |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Diodes Incorporated DMG8N65SCT
| Atributo do Produto | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | DMG7N65SCTI | DMG7N65SJ3 | DMG8880LSS-13 | DMG8880LK3-13 |
| Fabricante | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| Pacote | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Número do produto base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Característica FET | - | - | - | - |
| Série | - | - | - | - |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Dissipação de energia (Max) | - | - | - | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | - | - | - | - |
| Tipo FET | - | - | - | - |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | - | - | - | - |
| Tecnologia | - | - | - | - |
| Tipo de montagem | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Caixa / Gabinete | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| VGS (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | - | - | - | - |
| Temperatura de operação | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
Faça o download do DMG8N65SCT PDF Datahets e Diodes Incorporated Documentation para DMG8N65SCT - Diodes Incorporated.
DMG8880LK3Diodes Incorporated
DMG9435-13Diodes Incorporated
DMG7N65SCTIDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB
DMG8880LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOP
DMG8822UTSDiodes Incorporated
DMG963030M4Panasonic
DMG963H10M4Panasonic
DMG8880LSSDiodes Incorporated
DMG7N65SJ3Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 650V 5.5A TO251
DMG8601UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFNSeu endereço de e -mail não será publicado.
| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |
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