- Jess***Jones
- 17/04/2026
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| Quantidade | Preço Unitário | Preço Subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $5.586 | $5.59 |
Especificações técnicas EPC2021
EPC - EPC2021 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao EPC - EPC2021
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | EPC | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 14mA | |
| Vgs (Max) | +6V, -4V | |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | Die | |
| Série | eGaN® | |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 2.5mOhm @ 29A, 5V | |
| Dissipação de energia (Max) | - | |
| Caixa / Gabinete | Die | |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1650 pF @ 40 V | |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 5 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica FET | - | |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 5V | |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 80 V | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 90A (Ta) | |
| Número do produto base | EPC20 |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 compatível |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao EPC EPC2021
| Atributo do Produto | ![]() |
![]() |
|---|---|---|
| Modelo do Produto | EPC2021 | TVP00RF-19-88PA-P3 |
| Fabricante | EPC | Amphenol Aerospace Operations |
| Dissipação de energia (Max) | - | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 5V | - |
| Tipo FET | N-Channel | - |
| Número do produto base | EPC20 | - |
| Característica FET | - | - |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 90A (Ta) | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Panel Mount, Through Hole |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1650 pF @ 40 V | - |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) | - |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 80 V | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | Die | - |
| Pacote | Tape & Reel (TR) | - |
| Caixa / Gabinete | Die | - |
| Série | eGaN® | MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ HD |
| Vgs (Max) | +6V, -4V | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 2.5mOhm @ 29A, 5V | - |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 175°C |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 5 V | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 14mA | - |
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| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |

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