- Jess***Jones
- 17/04/2026
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| Quantidade | Preço Unitário | Preço Subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $7.714 | $7.71 |
Especificações técnicas EPC2105ENG
EPC - EPC2105ENG Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao EPC - EPC2105ENG
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | EPC | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | Die | |
| Série | eGaN® | |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 14.5 mOhm @ 20A, 5V | |
| Power - Max | - | |
| Embalagem | Bulk | |
| Caixa / Gabinete | Die | |
| Outros nomes | EPC2105ENGR 917-EPC2105ENG EPC2105ENGR EPC2105ENGRH4 |
|
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V | |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| Característica FET | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 80V | |
| Descrição detalhada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 9.5A, 38A |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao EPC EPC2105ENG
| Atributo do Produto | ||
|---|---|---|
| Modelo do Produto | EPC2105ENG | MP4KE180CAE3 |
| Fabricante | EPC | Microchip Technology |
| Caixa / Gabinete | Die | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Série | eGaN® | Military, MIL-PRF-19500 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 80V | - |
| Outros nomes | EPC2105ENGR 917-EPC2105ENG EPC2105ENGR EPC2105ENGRH4 |
- |
| Descrição detalhada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die | - |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) | - |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | Die | DO-204AL (DO-41) |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA | - |
| Característica FET | GaNFET (Gallium Nitride) | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Through Hole |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 14.5 mOhm @ 20A, 5V | - |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V | - |
| Power - Max | - | - |
| Embalagem | Bulk | - |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 9.5A, 38A | - |
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| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |
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