- Jess***Jones
- 17/04/2026
Folhas de dados
2SK2463.pdfDesign/especificação PCN
Mult Devices Marking 16/Apr/2018.pdfEspecificações técnicas 2SK2463T100
Rohm Semiconductor - 2SK2463T100 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - 2SK2463T100
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | LAPIS Technology | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | MPT3 | |
| Série | - | |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 380mOhm @ 1A, 10V | |
| Dissipação de energia (Max) | 500mW (Ta) | |
| Caixa / Gabinete | TO-243AA | |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica FET | - | |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4V, 10V | |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60 V | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) | |
| Número do produto base | 2SK2463 |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 compatível |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor 2SK2463T100
| Atributo do Produto | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | 2SK2463T100 | 2SK2461-AZ | 2SK2462(04)-AZ | 2SK2475 |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | Renesas | Renesas Electronics America Inc | XDY |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | MPT3 | ITO-220AB | - | - |
| Pacote | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | - |
| Caixa / Gabinete | TO-243AA | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | 2V @ 1mA | - | - |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 10 V | 1400 pF @ 10 V | - | - |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60 V | 100 V | - | - |
| Característica FET | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | ±20V | ±20V | - | - |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| Número do produto base | 2SK2463 | - | - | - |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | 150°C | - | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 380mOhm @ 1A, 10V | 80mOhm @ 10A, 10V | - | - |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| Série | - | - | * | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4V, 10V | 4V, 10V | - | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Through Hole | - | - |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) | 20A (Ta) | - | - |
| Dissipação de energia (Max) | 500mW (Ta) | 2W (Ta), 35W (Tc) | - | - |
Faça o download do 2SK2463T100 PDF Datahets e Rohm Semiconductor Documentation para 2SK2463T100 - Rohm Semiconductor.
2SK2475XDY
2SK2461NEC
2SK2466NEC
2SK2462NEC
2SK2477NEC
2SK2461-AZRenesas2SK2461 - SILICON N CHANNEL MOSF
2SK2462(04)-AZRenesas Electronics America IncN-CHANNEL POWER MOSFET
2SK2473FUJISeu endereço de e -mail não será publicado.
| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |
Quer um preço melhor? Adicionar ao carrinho e Enviar RFQ Agora, entraremos em contato com você imediatamente.