- Jess***Jones
- 17/04/2026
Folhas de dados
2SK2713.pdfEspecificações técnicas 2SK2713
Rohm Semiconductor - 2SK2713 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - 2SK2713
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | LAPIS Technology | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220FN | |
| Série | - | |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 1.4Ohm @ 2.5A, 10V | |
| Dissipação de energia (Max) | 30W (Tc) | |
| Caixa / Gabinete | TO-220-3 Full Pack | |
| Pacote | Bulk |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica FET | - | |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V | |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 450 V | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) | |
| Número do produto base | 2SK27 |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 compatível |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor 2SK2713
| Atributo do Produto | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | 2SK2713 | 2SK2715TL | 2SK2719(F) | 2SK2701A |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Toshiba Semiconductor and Storage | Sanken Electric USA Inc. |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| Número do produto base | 2SK27 | 2SK2715 | 2SK2719 | - |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) | 2A (Ta) | 3A (Ta) | 7A (Ta) |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1µA |
| Tipo de montagem | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 10 V | 280 pF @ 10 V | 750 pF @ 25 V | 720 pF @ 10 V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 1.4Ohm @ 2.5A, 10V | 4Ohm @ 1A, 10V | 4.3Ohm @ 1.5A, 10V | 1.1Ohm @ 3.5A, 10V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220FN | CPT3 | TO-3P(N) | TO-220F |
| Pacote | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk |
| Série | - | - | - | - |
| Dissipação de energia (Max) | 30W (Tc) | 20W (Tc) | 125W (Tc) | 35W (Tc) |
| Característica FET | - | - | - | - |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 450 V | 500 V | 900 V | 450 V |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| Caixa / Gabinete | TO-220-3 Full Pack | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-220-3 Full Pack |
Faça o download do 2SK2713 PDF Datahets e Rohm Semiconductor Documentation para 2SK2713 - Rohm Semiconductor.
2SK2690FUJI
2SK2689-01MR MOSFujitsu Electronics America, Inc.
2SK2718TSOSeu endereço de e -mail não será publicado.
| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |
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