- Jess***Jones
- 17/04/2026
Obsolescência PCN/ EOL
Mult Devices 16/Oct/2017.pdfEspecificações técnicas APT30SCD65B
Microsemi Corporation - APT30SCD65B Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Microsemi Corporation - APT30SCD65B
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Microsemi | |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se | 1.8 V @ 30 A | |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max) | 650 V | |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-247 | |
| Velocidade | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| Série | - | |
| Inversa de tempo de recuperação (trr) | 0 ns |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Caixa / Gabinete | TO-247-2 | |
| Pacote | Bulk | |
| Temperatura de Operação - Junção | -55°C ~ 150°C | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Atual - dispersão reversa @ Vr | 600 µA @ 650 V | |
| Atual - rectificada média (Io) | 46A | |
| Capacitância @ Vr, F | 945pF @ 1V, 1MHz |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Microsemi Corporation APT30SCD65B
| Atributo do Produto | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | APT30SCD120B | APT30SCD120S | APT30S20BG | APT30S20SG |
| Fabricante | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microsemi Corporation |
| Caixa / Gabinete | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Série | - | - | - | - |
| Tipo de montagem | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Atual - dispersão reversa @ Vr | - | - | - | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Pacote | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Tecnologia | - | - | - | - |
| Atual - rectificada média (Io) | - | - | - | - |
| Temperatura de Operação - Junção | - | - | - | - |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se | - | - | - | - |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max) | - | - | - | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr) | - | - | - | - |
| Capacitância @ Vr, F | - | - | - | - |
| Velocidade | - | - | - | - |
Faça o download do APT30SCD65B PDF Datahets e Microsemi Corporation Documentation para APT30SCD65B - Microsemi Corporation.
APT30S20BGMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 200V 45A TO247
APT31M100LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 32A TO264
APT3216CGCKINGBRIGH
APT30N60BC6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 30A TO247
APT31M100B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
APT31N60BCSGMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
APT30M85SVFRGMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 300V 40A D3PAK
APT30N60SC6Microsemi CorporationMOSFET N-CH 600V 30A D3PAK
APT30S20SGMicrosemi CorporationDIODE SCHOTTKY 200V 45A D3
APT31N90JC3MicrosemiIGBT Module
APT30SCD120SMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 1.2KV 99A D3PAK
APT30SCD120BMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 1.2KV 99A TO247Seu endereço de e -mail não será publicado.
| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |

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