- Jess***Jones
- 17/04/2026
Folhas de dados
SCT1000N170.pdfMontagem/origem PCN
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| Quantidade | Preço Unitário | Preço Subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $5.41 | $5.41 |
| 10+ | $4.757 | $47.57 |
| 30+ | $4.359 | $130.77 |
| 100+ | $4.026 | $402.60 |
Especificações técnicas SCT1000N170
STMicroelectronics - SCT1000N170 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao STMicroelectronics - SCT1000N170
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA | |
| Vgs (Max) | +22V, -10V | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | HiP247™ | |
| Série | - | |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 1.3Ohm @ 3A, 20V | |
| Dissipação de energia (Max) | 96W (Tc) | |
| Caixa / Gabinete | TO-247-3 | |
| Pacote | Tube |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de operação | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 133 pF @ 1000 V | |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 13.3 nC @ 20 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica FET | - | |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 20V | |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 1700 V | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) | |
| Número do produto base | SCT1000 |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 compatível |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao STMicroelectronics SCT1000N170
| Atributo do Produto | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | SCT10N120H | SCT10N120AG | SCT040HU65G3AG | SCT040H65G3AG |
| Fabricante | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Caixa / Gabinete | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | - | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Pacote | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Série | - | - | - | - |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | - | - | - | - |
| Número do produto base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| Tecnologia | - | - | - | - |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Característica FET | - | - | - | - |
| Dissipação de energia (Max) | - | - | - | - |
| Temperatura de operação | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Tipo de montagem | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | - | - | - | - |
| Tipo FET | - | - | - | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
Faça o download do SCT1000N170 PDF Datahets e STMicroelectronics Documentation para SCT1000N170 - STMicroelectronics.
SCT105K202A3S25CDE
SCT10N120HSTMicroelectronicsSICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
SCT040HU65G3AGSTMicroelectronicsAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
SCT105K162A3B38
SCT100N65G2ASTMicroelectronics
SCT105K122A3B28
SCT055HU65G3AGSTMicroelectronicsAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
SCT070HU120G3AGSeu endereço de e -mail não será publicado.
| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |
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