- Jess***Jones
- 17/04/2026
Folhas de dados
STB,I,P,W34N65M5.pdfMontagem/origem PCN
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdfObsolescência PCN/ EOL
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| Quantidade | Preço Unitário | Preço Subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $4.827 | $4.83 |
| 200+ | $1.926 | $385.20 |
| 500+ | $1.863 | $931.50 |
| 1000+ | $1.83 | $1,830.00 |
Especificações técnicas STI34N65M5
STMicroelectronics - STI34N65M5 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao STMicroelectronics - STI34N65M5
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | I2PAKFP (TO-281) | |
| Série | MDmesh™ V | |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 110mOhm @ 14A, 10V | |
| Dissipação de energia (Max) | 190W (Tc) | |
| Caixa / Gabinete | TO-262-3 Full Pack, I²Pak | |
| Pacote | Tube |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 100 V | |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 62.5 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica FET | - | |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V | |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 650 V | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) | |
| Número do produto base | STI34N |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 compatível |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao STMicroelectronics STI34N65M5
| Atributo do Produto | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | STI34N65M5 | STI3452HF2 | STI3470C | STI3508CB |
| Fabricante | STMicroelectronics | TMI | SUNTO | SUNTO |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 62.5 nC @ 10 V | - | - | - |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| Número do produto base | STI34N | - | - | - |
| Tipo de montagem | Through Hole | - | - | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 110mOhm @ 14A, 10V | - | - | - |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 100 V | - | - | - |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) | - | - | - |
| Caixa / Gabinete | TO-262-3 Full Pack, I²Pak | - | - | - |
| Tipo FET | N-Channel | - | - | - |
| Característica FET | - | - | - | - |
| Pacote | Tube | - | - | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V | - | - | - |
| Série | MDmesh™ V | - | - | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
| Vgs (Max) | ±25V | - | - | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | I2PAKFP (TO-281) | - | - | - |
| Dissipação de energia (Max) | 190W (Tc) | - | - | - |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 650 V | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | - | - | - |
Faça o download do STI34N65M5 PDF Datahets e STMicroelectronics Documentation para STI34N65M5 - STMicroelectronics.
STI3452HF2TMI
STI3470CSUNTO
STI3508CBSUNTO
STI3452HTMI
STI3520ACVSTMicroelectronics
STI3473SUNTO
STI3520LCVSTMicroelectronics
STI3470SUNTO
STI3508
STI3520ACV-ACESTMicroelectronics
STI3540SUNTO
STI3472SUNTO
STI3509BSUNTO
STI3507BSUNTO
STI3411SUNTO
STI3520CV-ESSTMicroelectronics
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| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |

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