- Jess***Jones
- 17/04/2026
Folhas de dados
STx3N150.pdfDesign/especificação PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdfMontagem/origem PCN
Mult Dev Site Closure 13/Feb/2020.pdfEmbalagem PCN
Traceability 06/Mar/2017.pdfFolha de dados HTML
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| Quantidade | Preço Unitário | Preço Subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $13.578 | $13.58 |
| 10+ | $13.069 | $130.69 |
| 30+ | $12.184 | $365.52 |
| 100+ | $11.414 | $1,141.40 |
Especificações técnicas STP3N150
STMicroelectronics - STP3N150 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao STMicroelectronics - STP3N150
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220 | |
| Série | PowerMESH™ | |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 9Ohm @ 1.3A, 10V | |
| Dissipação de energia (Max) | 140W (Tc) | |
| Caixa / Gabinete | TO-220-3 | |
| Pacote | Tube |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 939 pF @ 25 V | |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 29.3 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica FET | - | |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V | |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 1500 V | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) | |
| Número do produto base | STP3N150 |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 compatível |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao STMicroelectronics STP3N150
| Atributo do Produto | ||||
|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | STP3N50E | STP38N65M5 | STP3N80K5 | STP3HNK90Z |
| Fabricante | onsemi | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Série | - | - | - | - |
| Característica FET | - | - | - | - |
| Dissipação de energia (Max) | - | - | - | - |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Caixa / Gabinete | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Pacote | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | - | - | - | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | - | - | - | - |
| Tipo de montagem | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Tecnologia | - | - | - | - |
| Temperatura de operação | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Número do produto base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | - | - | - | - |
| Tipo FET | - | - | - | - |
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STP3788ADBASEIKO EPSON
STP3N62K3 MOSSTMicroelectronics
STP3N100FISTMicroelectronics
STP36NF06L MOSSTMicroelectronics
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STP3N100STMicroelectronics
STP3N100 P3N100STMicroelectronics
STP3NA60FIVBSEMI
STP3N150 P3N150STMicroelectronics
STP3NA100FISTMicroelectronics
STP3N90STMicroelectronicsSeu endereço de e -mail não será publicado.
| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |
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