- Jess***Jones
- 17/04/2026
Folhas de dados
STS3P6F6.pdfObsolescência PCN/ EOL
Mosfet EOL 6/Apr/2018.pdfEspecificações técnicas STS3P6F6
STMicroelectronics - STS3P6F6 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao STMicroelectronics - STS3P6F6
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-SOIC | |
| Série | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 160mOhm @ 1.5A, 10V | |
| Dissipação de energia (Max) | 2.7W (Tc) | |
| Caixa / Gabinete | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 340 pF @ 48 V | |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Característica FET | - | |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V | |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60 V | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 3A (Tj) | |
| Número do produto base | STS3P |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 compatível |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Status de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao STMicroelectronics STS3P6F6
| Atributo do Produto | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | STS3P6F6 | STS3DPF20V. | STS3DPFS30D | STS3C3F30L |
| Fabricante | STMicroelectronics | SR | STMicroelectronics | VBSEMI |
| Pacote | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 160mOhm @ 1.5A, 10V | - | - | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
| Tipo FET | P-Channel | - | - | - |
| Caixa / Gabinete | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - | - | - |
| Característica FET | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | ±20V | - | - | - |
| Dissipação de energia (Max) | 2.7W (Tc) | - | - | - |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 3A (Tj) | - | - | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount | - | - | - |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60 V | - | - | - |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4 nC @ 10 V | - | - | - |
| Série | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | - | - |
| Número do produto base | STS3P | - | - | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V | - | - | - |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 340 pF @ 48 V | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | - | - | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-SOIC | - | - | - |
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STS3DPF20V.SR
STS3DPFS30DSTMicroelectronics
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STS3DPFS30STMicroelectronics
STS3DPF30LSTMicroelectronics
STS3P6F6 MOSSTMicroelectronics
STS3DPFS45SR
STS3DPF20VVBSEMI
STS4075QCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
STS40-AD1BSensirion
STS4.3LF200QGCIT Relay and SwitchSWITCH TACTILE SPST-NO 50MA 48VSeu endereço de e -mail não será publicado.
| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |
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