- Jess***Jones
- 17/04/2026
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| Quantidade | Preço Unitário | Preço Subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $17.332 | $17.33 |
| 210+ | $6.916 | $1,452.36 |
| 510+ | $6.685 | $3,409.35 |
| 990+ | $6.571 | $6,505.29 |
Especificações técnicas STW30NM60N
STMicroelectronics - STW30NM60N Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao STMicroelectronics - STW30NM60N
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-247-3 | |
| Série | MDmesh™ II | |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 130mOhm @ 12.5A, 10V | |
| Dissipação de energia (Max) | 190W (Tc) | |
| Caixa / Gabinete | TO-247-3 | |
| Pacote | Tube |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 50 V | |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica FET | - | |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V | |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 600 V | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) | |
| Número do produto base | STW30N |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 compatível |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao STMicroelectronics STW30NM60N
| Atributo do Produto | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | STW30NM60ND | STW30NM60D | STW30NM50N | STW30NF20 |
| Fabricante | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | - | - | - | - |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Característica FET | - | - | - | - |
| Caixa / Gabinete | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Dissipação de energia (Max) | - | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | - | - | - | - |
| Tipo FET | - | - | - | - |
| Número do produto base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Tecnologia | - | - | - | - |
| Temperatura de operação | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Tipo de montagem | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | - | - | - | - |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Série | - | - | - | - |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| Pacote | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
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STW33N20STMicroelectronics
STW33N60M2 33N60M2STMicroelectronics
STW30N80K5STMicroelectronics
STW2N105K5STM
STW32N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
STW33N60M3STMicroelectronics
STW30NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 27A TO247-3Seu endereço de e -mail não será publicado.
| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |
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