- Jess***Jones
- 17/04/2026
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| Quantidade | Preço Unitário | Preço Subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $0.018 | $0.02 |
Especificações técnicas RN1408,LF(B
Toshiba Semiconductor and Storage - RN1408,LF(B Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Toshiba Semiconductor and Storage - RN1408,LF(B
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V | |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| Tipo transistor | NPN - Pre-Biased | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | S-Mini | |
| Série | - | |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms | |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms | |
| Power - Max | 200mW | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Caixa / Gabinete | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Outros nomes | RN1408(TE85L,F) RN1408(TE85LF)TR RN1408(TE85LF)TR-ND RN1408,LF RN1408,LF(T RN1408LF(BTR RN1408LFTR RN1408LFTR-ND |
|
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 12 Weeks | |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
| Frequência - Transição | 250MHz | |
| Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini | |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
| Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA | |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Toshiba Semiconductor and Storage RN1408,LF(B
| Atributo do Produto | ||||
|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | RN1408,LF | RN1408,LXHF | RN1407,LXHF | RN1407,LF |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Power - Max | - | - | - | - |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | - | - | - | - |
| Atual - Collector Cutoff (Max) | - | - | - | - |
| Frequência - Transição | - | - | - | - |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | - | - | - | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Tipo transistor | - | - | - | - |
| Embalagem | - | - | - | - |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | - | - | - | - |
| Série | - | - | - | - |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | - | - | - | - |
| Resistor - Base (R1) | - | - | - | - |
| Tipo de montagem | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Caixa / Gabinete | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | - | - | - | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | - | - | - | - |
| Outros nomes | - | - | - | - |
| Descrição detalhada | - | - | - | - |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | - | - | - | - |
| Status sem chumbo / status de RoHS | - | - | - | - |
Faça o download do RN1408,LF(B PDF Datahets e Toshiba Semiconductor and Storage Documentation para RN1408,LF(B - Toshiba Semiconductor and Storage.
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| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |
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