- Jess***Jones
- 17/04/2026
Folhas de dados
S3A - S3M.pdfObsolescência PCN/ EOL
PCN-DD-025-2012-Rev-0 28/Nov/2012.pdfEspecificações técnicas S3BHE3/57T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S3BHE3/57T Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S3BHE3/57T
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se | 1.15 V @ 2.5 A | |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max) | 100 V | |
| Tecnologia | Standard | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | DO-214AB (SMC) | |
| Velocidade | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101 | |
| Inversa de tempo de recuperação (trr) | 2.5 µs |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Caixa / Gabinete | DO-214AB, SMC | |
| Pacote | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de Operação - Junção | -55°C ~ 150°C | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Atual - dispersão reversa @ Vr | 10 µA @ 100 V | |
| Atual - rectificada média (Io) | 3A | |
| Capacitância @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz | |
| Número do produto base | S3B |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 compatível |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3BHE3/57T
| Atributo do Produto | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | S3BHE3/9AT | S3BHE3-TP | S3BBHE3-TP | S3BHE3_A/I |
| Fabricante | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Micro Commercial Co | Micro Commercial Co | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Série | - | - | - | - |
| Caixa / Gabinete | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Pacote | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Atual - dispersão reversa @ Vr | - | - | - | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr) | - | - | - | - |
| Velocidade | - | - | - | - |
| Temperatura de Operação - Junção | - | - | - | - |
| Número do produto base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Tecnologia | - | - | - | - |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se | - | - | - | - |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max) | - | - | - | - |
| Capacitância @ Vr, F | - | - | - | - |
| Atual - rectificada média (Io) | - | - | - | - |
| Tipo de montagem | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
Faça o download do S3BHE3/57T PDF Datahets e Vishay General Semiconductor - Diodes Division Documentation para S3BHE3/57T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
S3BHE3-TPMicro Commercial CoInterface
S3BBHE3-TPMicro Commercial CoInterface
S3BB-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
S3BR25FSemtech CorporationBRIDGE RECT 3PHASE 2.5KV 500MA
S3BR20Semtech CorporationBRIDGE RECT 3PHASE 2KV 500MA
S3BR10Semtech CorporationBRIDGE RECT 3PHASE 1KV 2A
S3BR05Semtech CorporationBRIDGE RECT 3PHASE 50V 2ASeu endereço de e -mail não será publicado.
| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |
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