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Guia do transistor BF245: pinagem, folha de dados e substituições

Neste artigo, pesquisamos os meandros do transistor de efeito de campo de silício BF245 N-canal do semicondutor, embalado na forma versátil para 92.Projetado para amplificação de sinal em aplicações de VHF, UHF e frequência de áudio, a série BF245, incluindo variantes como BF245A, BF245B e BF245C, é conhecida por seu alto ganho e desempenho de baixo ruído.Este artigo explora a configuração, especificações e opções de substituto do BF245, ajudando você a entender suas características únicas e como ele se destaca no processamento de sinais.Esteja você pensando em substitutos, configurando pinos ou examinando as especificações de CAD, este guia oferece uma análise completa para uso eficaz em várias aplicações eletrônicas.

Catálogo

Visão geral do BF245

O BF245 é utilizado principalmente para amplificar sinais nas bandas VHF, UHF e frequências de áudio.Com atributos de alto ganho e baixo ruído, ele amplifica adepto de pequenos sinais enquanto minimiza a interferência de ruído.

A série, incluindo BF245, BF245A, BF245B e BF245C, mostram características elétricas distintas, principalmente na tensão da fonte de porta e corrente de drenagem de tensão de porte zero.Essas diferenças atendem a aplicações específicas, oferecendo versatilidade na otimização de projetos de circuitos para diversas necessidades de amplificação de sinal.A eficácia nas bandas VHF e UHF é notável devido à sua capacidade de gerenciar e ampliar sinais mais fracos, aumentando a clareza e a força do sinal, básico para sistemas de transmissão e comunicação.

Em aplicações de frequência de áudio, o BF245 se destaca preservando a integridade do sinal e minimizando a distorção, usada em equipamentos de áudio de alta fidelidade.Sua capacidade de filtrar o ruído garante saída de áudio mais limpa.Comparado a transistores semelhantes, o equilíbrio do BF245 entre alto ganho e baixo ruído o torna uma escolha popular.Muitas vezes, você pode preferir esse componente por sua robustez e confiabilidade em ambientes exigentes.

Configuração do pino

ALFINETE	SÍMBOLO	DESCRIÇÃO
1	g	Portão
2	s	Fonte
3	d	Ralo

Especificações de CAD BF245

Símbolo

Pegada

Modelo 3D

Características

Recurso	Especificação
Tipo de pacote	Para 92
Tipo de transistor	N canal jfet
Tensão de fonte de drenagem	30V (máximo)
Tensão de portão de drenagem	30V (máximo)
Tensão de fonte de portão reversa	–30V (máximo)
Corrente de drenagem contínua	25mA (máximo)
Tensão de corte de fonte de porta	-0,5V a –0V
Dissipação de energia	300mW (máximo)
Armazenamento e temperatura operacional	-55 ° C a +150 ° C.
Nível de ruído e ganho	Baixo ruído e alto ganho
Frequência operacional	Até 700 MHz
Drenar e intercambiedade de drenagem	Sim

Especificação técnica

Aqui está a tabela de especificação técnica para o semicondutor BF245B JFET.

Tipo	Parâmetro
Status do ciclo de vida	Obsoleto
Últimos remessas	Última atualização: 1 semana atrás
Montar	Através do buraco
Pacote / caso	TO-226-3, para 92-3 (TO-226AA)
Número de pinos	3
Peso	200 mg
Tensão de quebra / v	-30 v
Número de elementos	1
Embalagem	Volume
Publicado	2009
Código JESD-609	E0
Código PBFree	Não
Status da peça	Obsoleto
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (ilimitado)
Número de terminações	3
Código ECCN	Ear99
Acabamento terminal	Estanho/chumbo (sn/pb)
Temperatura de operação máxima	150 ° C.
Min Temperatura de operação	-55 ° C.
Código HTS	8541.21.00.75
Tensão - DC nominal	30 v
Classificação atual (amplificadores)	100 ma
Dissipação máxima de energia	350 MW
Posição terminal	Fundo
Temperatura de refluxo de pico (° C)	240
Código de conformidade de alcance	Não é compatível
Classificação atual	10 MA
Time@pico reflow temp-max (s)	30
Número da peça base	BF245
Contagem de pinos	3
Status de qualificação	Não qualificado
Configuração do elemento	Solteiro
Modo de operação	Modo de esgotamento
Dissipação de energia	350 MW
Aplicação do transistor	Amplificador
Escorra para a tensão de origem (VDSS)	15 v
Tipo de transistor	N-canal JFET
Corrente de drenagem contínua (ID)	15 MA
Portão para a tensão de origem (VGs)	-30 v
Drene a corrente-max (ABS) (ID)	0,1 a
Drenar para a tensão de decomposição da fonte	30 v
Tecnologia FET	Junção
Banda de frequência mais alta	Ultra Alta Frequência B
Altura	4,58 mm
Comprimento	4,58 mm
Largura	3,86 mm
Status do ROHS	Compatível não-RHS
Chumbo livre	Chumbo livre

Substituição do BF245

• BF245C

• 2N5457

• 2SK117

• MPF102

• 2N5458

• BF244A

• BF256A

• J113

• 2N3819

• 2N4416

• 2N5638

• 2SK162

Aplicações

Amplificação de sinal VHF e UHF

O BF245 encontra uso extensivo em sinais de amplificação de VHF (muito alta frequência) e UHF (ultra alta frequência).Essas frequências desempenham um papel na comunicação de rádio, na transmissão de televisão e nos dispositivos sem fio, exigindo amplificação detalhada para manter a clareza do sinal.Você pode explorar configurações sofisticadas para melhorar o desempenho, contemplando desafios como distorção de sinal e gerenciamento de ruído.Essa busca geralmente se alinha com a satisfação emocional de alcançar a excelência técnica.

Osciladores de RF

Este transistor desempenha um papel na criação de osciladores de RF, que geram sinais de frequência estável e precisos.Seu recurso de baixo ruído enriquece a qualidade dos sinais de saída, um fator estimado nos círculos de telecomunicações e transmissão.Você pode investir o esforço emocional e intelectual para minimizar a distorção harmônica, preservando a estabilidade da frequência, obtendo insights de experiências práticas para ajustar os parâmetros do circuito.

Amplificação de áudio

No domínio da amplificação de áudio, o BF245 fornece suporte confiável para sinais de áudio de baixa potência.Seu papel nos circuitos de áudio garante distorção mínima, tornando-o adequado para sistemas de áudio de alta fidelidade.A arte de equilibrar o consumo de energia com o desempenho se torna uma tarefa exata, você pode desfrutar de refinar para aprimorar a experiência auditiva, informada pela experiência prática em influenciar corretamente o transistor.

Processamento de sinal de baixo nível

Para o processamento de sinal de baixo nível, geralmente visto nos instrumentos analíticos e de medição, o BF245 demonstra seu valor.O manuseio de sinais fracos garante que a integridade dos dados.Trabalhar com esse transistor em áreas como monitoramento ambiental e engenharia biomédica se torna uma exploração de personalização de circuitos para atender às necessidades precisas de medição, desfrutando do engajamento intelectual que isso implica.

Circuitos de sensores

O BF245 aumenta os circuitos do sensor, amplificando sinais fracos de diversos sensores.Seja em temperatura, pressão ou detecção de umidade, esse transistor fornece amplificação estável, facilitando a interpretação precisa dos dados do sensor.Você pode procurar refinar os circuitos de sensores, concentrando -se em minimizar os tempos de resposta e aumentar a sensibilidade, enquanto aprecia o desempenho consistente do BF245 em diferentes condições.

Pacote

Fabricante

No semicondutor, serve o setor de semicondutores com uma variedade diversificada de produtos.A empresa é especializada em gerenciamento de energia e sinais, componentes lógicos e dispositivos discretos e personalizados, como aplicações automotivas, comunicações, computação, consumidor, industrial, LED, médicos, militares/aeroespaciais e de energia.On Semiconductor opera uma extensa rede na América do Norte, Europa e Ásia -Pacífico.A empresa está sediada na vibrante cidade de Phoenix, Arizona, um centro que alimenta seu espírito inovador.

PDF da folha de dados

BF245A folhas de dados:

BF245A, B, C.PDF

BF245A, B.PDF

BF245B Data folhas de dados:

BF245A, B, C.PDF

BF245A, B.PDF

BF245C Data folhas de dados:

BF245A, B, C.PDF

MPF102 folhas de dados:

MPF102.pdf

MPF102.pdf

2n5458 folhas de dados:

2N5457-59, MMBF5457-59.pdf

Titulares de bateria cilíndrica.pdf

BF244A folhas de dados:

BF244A/B/C.PDF

BF256A folhas de dados:

Bf256a.pdf

2n3819 folhas de dados:

2N3819.pdf

2n5638 folhas de dados:

2N5638.pdf