- Jess***Jones
- 17/04/2026
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| Quantidade | Preço Unitário | Preço Subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $6.998 | $7.00 |
Especificações técnicas EPC2100ENG
EPC - EPC2100ENG Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao EPC - EPC2100ENG
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | EPC | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | Die | |
| Série | eGaN® | |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V | |
| Power - Max | - | |
| Embalagem | Tray | |
| Caixa / Gabinete | Die | |
| Outros nomes | 917-EPC2100ENG EPC2100ENGR_H1 EPC2100ENGRH1 |
|
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V | |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| Característica FET | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 30V | |
| Descrição detalhada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 40A (Ta) |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao EPC EPC2100ENG
| Atributo do Produto | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | EPC2100ENGRT | EPC2102ENG | EPC2101ENGRT | EPC2103ENG |
| Fabricante | EPC | EPC | EPC | EPC |
| Tipo de montagem | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | - | - | - | - |
| Característica FET | - | - | - | - |
| Power - Max | - | - | - | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Descrição detalhada | - | - | - | - |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Temperatura de operação | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | - | - | - | - |
| Série | - | - | - | - |
| Embalagem | - | - | - | - |
| Tipo FET | - | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| Status sem chumbo / status de RoHS | - | - | - | - |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | - | - | - | - |
| Outros nomes | - | - | - | - |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Caixa / Gabinete | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
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EPC2103EPCGAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
EPC2067EPCTRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
EPC2070EPCTRANS GAN DIE 100V .022OHM
EPC2100EPCGAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2066EPCTRANSISTOR GAN 40V .001OHM
EPC2101ENGRTEPCGAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2065EPCGAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
EPC2102EPCGAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
EPC2059ENGRTEPCTRANS GAN 170V .009 OHM BUMP DIE
EPC2102ENGRTEPCGANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
EPC2088EPCTRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
EPC2101EPCGAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2071EPCTRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
EPC2100ENGRTEPCGANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
EPC2069EPCGAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIESeu endereço de e -mail não será publicado.
| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |
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