- Jess***Jones
- 17/04/2026
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| Quantidade | Preço Unitário | Preço Subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $7.841 | $7.84 |
Especificações técnicas EPC2102ENG
EPC - EPC2102ENG Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao EPC - EPC2102ENG
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | EPC | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | Die | |
| Série | eGaN® | |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 4.4 mOhm @ 20A, 5V | |
| Power - Max | - | |
| Embalagem | Tray | |
| Caixa / Gabinete | Die | |
| Outros nomes | 917-EPC2102ENG EPC2102ENGRH6 |
|
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 30V | |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| Característica FET | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60V | |
| Descrição detalhada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A Surface Mount Die | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 23A |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao EPC EPC2102ENG
| Atributo do Produto | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | EPC2102ENGRT | EPC2103ENG | EPC2101ENG | EPC2101ENGRT |
| Fabricante | EPC | EPC | EPC | EPC |
| Embalagem | - | - | - | - |
| Série | - | - | - | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Descrição detalhada | - | - | - | - |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | - | - | - | - |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | - | - | - | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | - | - | - | - |
| Temperatura de operação | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Caixa / Gabinete | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| VGS (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Tipo de montagem | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Característica FET | - | - | - | - |
| Status sem chumbo / status de RoHS | - | - | - | - |
| Tipo FET | - | - | - | - |
| Power - Max | - | - | - | - |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Outros nomes | - | - | - | - |
Faça o download do EPC2102ENG PDF Datahets e EPC Documentation para EPC2102ENG - EPC.
EPC2071EPCTRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
EPC2103ENGRTEPCGANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
EPC2101ENGRTEPCGAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2101EPCGAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2088EPCTRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
EPC2100ENGRTEPCGANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
EPC2104EPCGAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
EPC2102EPCGAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
EPC2102ENGRTEPCGANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
EPC2104ENGRTEPCGANFET 2NCH 100V 23A DIE
EPC2100EPCGAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2103EPCGAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
EPC2105EPCGAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRIDSeu endereço de e -mail não será publicado.
| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |
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