- Jess***Jones
- 17/04/2026
Folhas de dados
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| Quantidade | Preço Unitário | Preço Subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $2.788 | $2.79 |
| 10+ | $2.464 | $24.64 |
| 50+ | $1.997 | $99.85 |
| 100+ | $1.802 | $180.20 |
| 500+ | $1.711 | $855.50 |
| 1000+ | $1.671 | $1,671.00 |
Especificações técnicas IV1D12010O2
Inventchip - IV1D12010O2 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Inventchip - IV1D12010O2
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Inventchip | |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se | 1.8 V @ 10 A | |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max) | 1200 V | |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220-2 | |
| Velocidade | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| Série | - | |
| Inversa de tempo de recuperação (trr) | 0 ns |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Caixa / Gabinete | TO-220-2 | |
| Pacote | Tube | |
| Temperatura de Operação - Junção | -55°C ~ 175°C | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Atual - dispersão reversa @ Vr | 50 µA @ 1200 V | |
| Atual - rectificada média (Io) | 28A | |
| Capacitância @ Vr, F | 575pF @ 1V, 1MHz |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 compatível |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Inventchip IV1D12010O2
| Atributo do Produto | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | IV1D12005O2 | IV1D12010T2 | IV1D12020T2 | IV1D12015T2 |
| Fabricante | Inventchip | Inventchip | Inventchip | Inventchip |
| Temperatura de Operação - Junção | - | - | - | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Tipo de montagem | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Tecnologia | - | - | - | - |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se | - | - | - | - |
| Série | - | - | - | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr) | - | - | - | - |
| Velocidade | - | - | - | - |
| Atual - dispersão reversa @ Vr | - | - | - | - |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max) | - | - | - | - |
| Atual - rectificada média (Io) | - | - | - | - |
| Capacitância @ Vr, F | - | - | - | - |
| Caixa / Gabinete | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Pacote | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
Faça o download do IV1D12010O2 PDF Datahets e Inventchip Documentation para IV1D12010O2 - Inventchip.
IV1D12005O2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO220-2
IV1Q12050T4InventchipSIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
IV1D12020T2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO247-2
IV1D12010T2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2
IV1D06006O2InventchipDIODE SIL CARB 650V 17.4A TO220
IV1Q12050T3InventchipSIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
IV1Q12160T4InventchipSIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
IV1D12030U3InventchipSIC DIODE, 1200V 30A(15A/LEG), T
IV1D12015T2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 44A TO247-2
IV1D12020T3InventchipSIC DIODE, 1200V 20A(10A/LEG), T
IV1D06006P3InventchipDIODE SIC 650V 16.7A TO252-3
IV1D12040U2InventchipSIC DIODE, 1200V 40A, TO-247-2Seu endereço de e -mail não será publicado.
| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |

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