- Jess***Jones
- 17/04/2026
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| Quantidade | Preço Unitário | Preço Subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $10.621 | $10.62 |
| 10+ | $9.951 | $99.51 |
| 30+ | $9.225 | $276.75 |
| 90+ | $8.592 | $773.28 |
Especificações técnicas IV1Q12050T4
Inventchip - IV1Q12050T4 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Inventchip - IV1Q12050T4
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Inventchip | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.2V @ 6mA | |
| Vgs (Max) | +20V, -5V | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-247-4 | |
| Série | - | |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 65mOhm @ 20A, 20V | |
| Dissipação de energia (Max) | 344W (Tc) | |
| Caixa / Gabinete | TO-247-4 | |
| Pacote | Tube |
| Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2750 pF @ 800 V | |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 20 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica FET | - | |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 20V | |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 1200 V | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 58A (Tc) |
| ATRIBUTO | DESCRIçãO |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 compatível |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Inventchip IV1Q12050T4
| Atributo do Produto | ![]() |
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|
|---|---|---|---|---|
| Modelo do Produto | IV1Q12050T4 | IV1Q12050T3 | IV1Q12160T4 | IV1215SA |
| Fabricante | Inventchip | Inventchip | Inventchip | XP Power |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | - |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 58A (Tc) | 58A (Tc) | 20A (Tc) | - |
| Série | - | - | - | IV (1W) |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 65mOhm @ 20A, 20V | 65mOhm @ 20A, 20V | 195mOhm @ 10A, 20V | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.2V @ 6mA | 3.2V @ 6mA | 2.9V @ 1.9mA | - |
| Vgs (Max) | +20V, -5V | +20V, -5V | +20V, -5V | - |
| Pacote | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Dissipação de energia (Max) | 344W (Tc) | 327W (Tc) | 138W (Tc) | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-247-4 | TO-247-3 | TO-247-4 | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 20V | 20V | 20V | - |
| Característica FET | - | - | - | - |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2750 pF @ 800 V | 2770 pF @ 800 V | 885 pF @ 800 V | - |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 1200 V | 1200 V | 1200 V | - |
| Tipo de montagem | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 20 V | 120 nC @ 20 V | 43 nC @ 20 V | - |
| Caixa / Gabinete | TO-247-4 | TO-247-3 | TO-247-4 | 7-SIP Module, 4 Leads |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 85°C |
Faça o download do IV1Q12050T4 PDF Datahets e Inventchip Documentation para IV1Q12050T4 - Inventchip.
IV1Q12050T3InventchipSIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
IV1D12010T2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2
IV1D12020T3InventchipSIC DIODE, 1200V 20A(10A/LEG), T
IV1D12005O2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO220-2
IV1D12015T2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 44A TO247-2
IV1D12010O2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220-2
IV1D12020T2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO247-2
IV1D06006P3InventchipDIODE SIC 650V 16.7A TO252-3
IV1D12040U2InventchipSIC DIODE, 1200V 40A, TO-247-2
IV1Q12160T4InventchipSIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
IV1D12030U3InventchipSIC DIODE, 1200V 30A(15A/LEG), T
IV1D06006O2InventchipDIODE SIL CARB 650V 17.4A TO220Seu endereço de e -mail não será publicado.
| Referência de tempo logístico de países comuns | ||
|---|---|---|
| Região | País | Hora logística (dia) |
| América | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemanha | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Itália | 5 | |
| Oceânia | Austrália | 6 |
| Nova Zelândia | 5 | |
| Ásia | Índia | 4 |
| Japão | 4 | |
| Médio Oriente | Israel | 6 |
| Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
|---|---|
| Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
| 0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
| 1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
| 2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |

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